长鑫要进闪存：一个中国已经有人做到全球第三的市场
路透独家称长鑫存储准备在北京新厂建 NAND 研发产线、并已与客户谈过闪存采购；这篇核对它自己招股书与半年报里的空白，拆开这轮闪存紧缺的资本开支成因，以及从 DRAM 走到三维堆叠要跨过的几道门。
9 月 18 日，路透社发出一条独家：中国最大的存储芯片公司长鑫存储（CXMT）正准备进入闪存市场，三名知情人士称1。
报道里的动作分三层，分别来自三条不同的信源。
第一层：长鑫计划在北京的新厂里建一条 NAND 闪存的研发产线（两名信源）。第二层：公司在北京设了一家研究院，院内的项目之一是 NAND 研发（一名信源）。第三层：长鑫已就 NAND 计划与客户谈过，其中一家是新设的初创公司，打算为 AI 系统和超级计算机采购 NAND 存储产品——路透拒绝透露这家公司的名字1。
这是长鑫第一次被报道要碰 NAND。此前路透关于这家公司的独家，全部落在 DRAM 这一条线上：7 月 24 日的定价权调查2、7 月 26 日的 IPO3、8 月 3 日的第二座厂4、8 月 31 日的 HBM3E5。
证据边界要先划出来。
路透自己写明了两件不确定的事：不清楚这条研发产线什么时候开始运转，也不清楚长鑫是否有意从研发和试产走向大规模商业制造。长鑫、长江存储（YMTC）、三星和北京市政府都没有即时回应1。
换句话说，能核到的是「准备进入」和「研发产线」这两个动作，不是产能，也不是产品。
那么核心问题就是：一家把全部资源压在 DRAM 上的公司，为什么现在要去动一个中国已经有人做到全球第三的市场？
01｜一条研发线，和它自己文件里的空白
8 月 3 日，路透曾报道长鑫正考虑在北京亦庄建第二座 12 英寸存储芯片厂，并正与一个地方政府背景的科技制造园区洽谈融资，当时给出的理由是全球芯片短缺下需要扩大产量4。今天的独家写的是「北京新厂」，路透没有交代它与 8 月 3 日那座规划中的第二座厂是不是同一座1。
北京眼下已经有一座在运转的厂。运营它的长鑫集电（北京）存储技术有限公司，主营业务的登记表述是「动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售」6。
长鑫集电的股权里有两个名字相近的亦庄主体：「北京亦庄国际投资发展有限公司」持股 31.72%，「北京亦庄科技」持股 6.79%；其余为大基金二期 24.67%、北京屹唐科技 5.09%，以及上市主体长鑫科技集团自己持有的 31.72%6。
北京市政府一侧的公开表述是同一个口径。北京经济技术开发区管委会官网 6 月 10 日的一篇稿件里，长鑫集电被称作「一家从事动态随机存取存储芯片研发与生产的企业」7。
长鑫自己的法定文件里，NAND 的痕迹更少。
长鑫存储的上市主体是长鑫科技集团。它 7 月 22 日挂网的 410 页招股说明书里，「HBM」出现 0 次；「NAND」出现 4 次，全部落在两名高管的简历和竞争对手介绍里。公司对自己的定义是「始终专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售」6。三个募投项目合计投资 345 亿元，全部围绕 DRAM6。
8 月 29 日的 192 页半年度报告里，「NAND」「闪存」「HBM」三个词的命中次数都是 0。重要在建工程只有合肥一期、合肥二期、北京生产线三条，没有新增条目8。官网在售的四条产品线——LPDDR6、DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR4X——也全是 DRAM9。
这些不是反驳。它们只是把路透那句话限定住了：这条独家描述的是一条研发线上的在研项目，而不是一条已经进了法定披露的量产计划。
这条独家的分量在产品线，不在产能。
02｜闪存的紧缺，是被 DRAM 的资本开支挤出来的
先看这块市场长什么样。研究机构 TrendForce 8 月 18 日发布的榜单给的是收入口径：2026 年二季度，全球前五家上市 NAND 厂商合计收入 688.7 亿美元，环比增长 77%10。
具体数字是：三星 230.6 亿美元、份额 29.3%（一季度为 31.6%），SK 海力士集团 142.7 亿美元、18.2%，美光 118.5 亿美元、15.1%，铠侠 107.2 亿美元、13.6%，SanDisk 89.7 亿美元、11.4%——五家合计 87.6%。榜单脚注写着「只排上市公司」10。
长江存储不在这个榜里，它的份额要另找口径。Counterpoint Research 的季度份额表把它放了进来：二季度三星 28%、SK 海力士 19%、美光 15%、铠侠 14%、长江存储 14%、SanDisk 11%；同一页写，「长江存储的收入高于我们的预期」11。
两家机构对同一季度的三星给出 29.3% 与 28%、对铠侠给出 13.6% 与 14%。TrendForce 的脚注只能解释它为什么不排长江存储，解释不了这两组百分比的差；本文只能把两组数字并列。
长江存储排第几，也取决于用谁的表。按 Counterpoint 这份收入口径，它与铠侠同为 14%，排在美光之后；而它自己招股说明书的说法是，按 TrendForce 数据计算，2026 年 1 至 3 月它在全球 NAND 厂商中按销售金额与出货量「均位列全球第三、中国第一」12。
价格是另一个坐标。TrendForce 的合约价调查显示，NAND 合约价一季度环比上涨 55% 到 60%，二季度上涨 70% 到 75%，三季度预计再涨 10% 到 15%；企业级 SSD 在一季度的涨幅是 53% 到 58%，是该机构记录里的单季新高131415。
把短缺拉长到 2027 年的，是供给这一侧——钱去了别处。
2026 年全球 NAND 的资本开支预计 222 亿美元，比 2025 年增长约 5%；同期 DRAM 的资本开支是 613 亿美元，增长约 14%18。同一份报告点名了取舍：三星与 SK 海力士/Solidigm 预计会减少或限制 NAND 投资，把重心转向 HBM 与 DRAM18。今年 8 月这个判断被重复了一次：「厂商普遍把资本开支优先投向 DRAM 和 HBM，限制了 NAND 的新增产能」10。
结果是一段有明确终点的时间表。TrendForce 估计 2026 年 NAND 供需缺口为 4% 到 5%，供需要到 2027 年下半年才转为宽松16。
把量级放到年度看是这样的。SK 海力士的上市文件转引 Gartner 的预测：全年、全市场的 NAND 收入将从 2025 年的 680 亿美元增至 2027 年的 3410 亿美元；企业级在整个存储市场的占比，将从 2025 年的 43.1% 升到 2027 年的 51.9%19。这是全年、全市场口径，不能与上面那组单季、前五家的数字直接比大小。
原厂不是不扩，是时间排在后面。
SK 海力士 8 月 7 日经董事会批准，在龙仁 Y2 投资 35.2 万亿韩元、在清州 M17 投资 19.1 万亿韩元；清州 M17 是 NAND 厂，明年 2 月破土，第一个洁净室的目标是 2028 年 12 月，龙仁 Y2 是 2029 年 6 月20。公司另外披露，清州累计 100 万亿韩元的投资里，80 万亿韩元给 NAND 厂、20 万亿韩元给先进封装厂21。
就在这条独家发出半个多小时后，路透还发了另一条：SK 海力士的子公司 Solidigm 正考虑在美国建 NAND 闪存厂，上州纽约是主要候选；公司回应称「正在评估多种选项以增强业务竞争力，但此时尚未确认任何具体计划」22。
三星在二季度财报里的措辞是：「尽管努力增产，供给约束预计仍将持续。」23
还有一句常被引用的话需要带上限定。SK 海力士 CEO 郭鲁正 7 月对路透说的是整个存储产业：「我们预测明年将是产业史上供给最糟的一年。」他讲的是由 DRAM 与 HBM 主导的整体短缺，不是单指 NAND24。
NAND 的紧缺不是需求突然翻倍的结果，是资本开支结构的结果：钱去了 DRAM 和 HBM，NAND 的新产能被推到 2028 年之后。
03｜从平面到堆叠：能省下厂房，省不下工艺
DRAM 和 NAND 是两种不同的活。DRAM 靠把存储单元在平面上不断缩小来提高密度，NAND 靠把存储层一层层叠起来——前者是微缩竞赛，后者是堆叠竞赛。
堆叠这件事，连「层数」这个口径都不统一。
三星在 8 月的 FMS 2026 上展出 V10 BV-NAND，官方说法是「超过 400 层」，用词是发布，不是量产25。SK 海力士二季度财报写的是，321 层产品已占其总产量最大份额，年底要扩到国内产能的约一半26。铠侠走的是双轴：第九代用第五代的 120 层基座做成本优化，第十代才把 332 层叠上去2728。美光只用代际名 G9，官方产品页通篇不出现层数29。长江存储官网不披露层数，招股说明书写的是「全球首批推出 200 层以上 3D NAND Flash 产品」12。
设备那一端的门槛，美国管得比「设备清单」更宽。
美国出口管理条例的定义条款里，「先进节点集成电路」包含「128 层及以上的 NAND 存储集成电路」30。有了这个定义，744.23 条的最终用途管制就能这样适用：只要你知道某项受管制物项将用于中国境内生产先进节点集成电路的工厂，出口或者再出口就需要许可证31。管的是工厂生产什么，不必逐个点名设备。
把门槛定在 128 层，是美方自己解释过的：这个更高的门槛「意在把市场上容易买到的存储，与构成国家安全和外交政策关切的存储区分开」32。
管制里也留着一块空白。三维堆叠的核心工序是晶圆键合，而在美国商业管制清单的现行条文与 2022 年 10 月以来的四轮规则全文里，检索「bond」都没有对应的专门条目，它只能靠上面那条最终用途管制间接覆盖33。
长江存储这四年走的就是另一条路。
2022 年 12 月，美国商务部把它列入实体清单，许可要求原文是「所有受 EAR 管辖的物项」，审查政策是「推定拒绝」34。到今年 4 月，路透报道它武汉第三座厂正在安装设备，其中超过一半来自国内供应商，包括用于层间垂直堆叠的关键设备35。7 月，路透又报道它已经替换掉大约一半的设备2。
长鑫自己的位置不一样。在 9 月的现行条文里，它不在美国商务部的实体清单上；美国国会研究服务处的报告也写着它「仍然未列名，可以购买美国的半导体制造设备」36。它在另一份名单上：美国国防部的「中国军工企业」名单，2025 年 1 月和 2026 年 6 月两次列入37。
真正的长门槛在客户那一端。企业级 SSD 的规矩是先认证、才放量：铠侠的 218 层产品，是靠「获得北美头部云客户认证」之后才起量的17。原厂普遍不披露认证周期有多长。
长江存储已经把产品摆在那里了。它官网的企业级 SSD 里，PE522 是 PCIe 5.0、单盘最高 30.72TB、顺序读 14200MB/s，官方页面直接写它面向「大模型推理中 KV Cache 下放与调回」，用来压低首字响应延迟38。
长鑫能省下的是厂房和融资的时间，省不下的是从平面微缩换到三维堆叠的工艺路线，和客户对企业级存储的逐级验证。
04｜两家公司、三条线、一笔钱
长江存储那一侧正在加速。
8 月 21 日，其母公司长江存储控股向上交所提交科创板招股说明书，拟募资 330 亿元：208 亿元用于量产线技术升级，122 亿元用于研发，两个项目都在武汉东湖新技术开发区的现有厂区内，不涉及新增用地。主要研发项目只有「第六代三维闪存系列产品」与「三维闪存系统解决方案」两项，没有任何 DRAM 内容12。
8 月 26 日，Financial Times 报道，长江存储在一场上市准备会上告诉投资者和股东，它想在 2027 年底前拿下全球 NAND 第一39。招股说明书披露的 2026 年第一季度数字是营收 470.4 亿元、产能利用率 98.02%12；Financial Times 报道同一季度的净利润为 330 亿元，是它 2025 年全年净利润的两倍多39。
关于长江存储的层数，招股说明书与官网都没有给出具体数字12。唯一更具体的一处出现在地方政府门户转载的媒体报道里：《长江日报》的稿件由武汉市人民政府门户网站刊发，称它「已实现 232 层 3D NAND 闪存的规模化量产，294 层等效工艺亦取得突破」，良率 95%。这两个数字公司自己从未公布过40。
长鑫那一侧的问题，是钱怎么分。
它 7 月 IPO 募资 579.2 亿元，上市首日涨 466%，市值 3.3 万亿元3。按韩国《中央日报》英文版的整理，长鑫上半年营收 1503 亿元、同比增长 873.6%，净利润 776 亿元；二季度的营业利润率是 82%，同一口径下 SK 海力士为 76%、三星半导体部门为 70%41。
长鑫半年报里自己的研发投入是 68.59 亿元，同比增加 87.38%；北京生产线的预算数为 1008.49 亿元，累计投入比例 96.09%8。
它要同时喂三条线：DRAM 主业的扩产、HBM 的追赶，和现在这条 NAND 研发。
HBM 那一条最紧。路透 7 月的报道引五名信源说，长鑫自产的 HBM 仍落后对手两代、也就是数年2。
有意思的是，两家公司已经在技术上互相借力。韩国《中央日报》英文版报道称，长鑫把长江存储的 X-Stacking 三维键合技术用进了自己的 HBM 设计，以绕开极紫外光刻设备41。韩国《每日经济新闻》英文版给出了同样的说法，并称两家自去年起就在 HBM 上合作42。
需求那一侧在中国国内是确定的。国家数据局 4 月发布的报告给出：2025 年全国数据存储总量 2.53 泽字节、同比增长 21.05%；用于人工智能训练和推理的数据总量 199.48 艾字节、同比增长 42.86%，其中推理数据量 101.34 艾字节，第一次超过训练数据量43。一份深交所申报文件转引 IDC 的数据说，2025 年国内企业级固态硬盘市场规模 68.1 亿美元，2026 年预计增长 45.8%44。
这条新闻没有改变中国能不能做闪存——那已经由长江存储回答了；它改变的是做闪存的中国公司可能变成两家，以及长鑫要在三条产品线之间分同一笔钱。
回到开头那个问题。现在动手的理由是这段窗口：闪存的钱被 DRAM 和 HBM 抽走，新产能要等到 2028 年之后，而国内对企业级存储的需求还在往上走。这道题的另一半——长鑫能不能把闪存做出来——在研发线投产之前没有答案，下面这张表就是现在能核到的边界。
| 三个待核的问题 | 现在能核到什么 | 还差什么 |
|---|---|---|
| 长鑫的 NAND 计划 | 路透三条匿名信源：北京新厂建 NAND 研发产线（两名）、北京研究院的项目含 NAND 研发（一名）、已与客户沟通过并有一家拟为 AI 系统与超算采购 NAND 的新设公司（一名）1。同一家公司的 7 月 22 日招股说明书中「HBM」出现 0 次、「NAND」只出现在简历与竞品介绍里，三个募投项目全指向 DRAM6；8 月 29 日半年报中「NAND」「闪存」「HBM」命中次数均为 08 | 投产时间、是否转入量产、投资额；那家客户是谁；长鑫、长江存储、三星与北京市政府的回应 |
| 这段供给缺口能撑多久 | 2026 年 NAND 供需缺口 4% 到 5%，2027 年下半年转为宽松16；合约价 1Q26 涨 55%—60%、2Q26 涨 70%—75%、3Q26 预计涨 10%—15%131415；2026 年 NAND 资本开支 222 亿美元、仅增约 5%，DRAM 613 亿美元、增约 14%18；SK 海力士清州 M17 洁净室目标 2028 年 12 月、龙仁 Y2 为 2029 年 6 月20 | 现货价；2026 年全市场收入的单点预测值；两家研究机构为何对同一季度给出两组份额 |
| 长鑫能不能做出来 | 合肥两座、北京一座 12 英寸 DRAM 晶圆厂6；IPO 募资 579.2 亿元、上半年净利 776 亿元341；128 层及以上 NAND 属「先进节点集成电路」，中国境内相关工厂所需的受管制物项均须许可3031；长鑫不在美国商务部实体清单上、在美国国防部 1260H 名单上3637 | 良率与层数路线；设备国产化率；企业级 SSD 的客户认证进度；两家公司都不披露绝对月产能 |
References
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- 7北京经济技术开发区管委会（来源：亦城时报，转自《北京日报》）｜进口危险化学品「白名单」制度助力新兴产业发展（2026-06-10）
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- 8长鑫科技集团股份有限公司 2026 年半年度报告（2026-08-29）
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- 9长鑫存储官网｜产品与服务
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- 11Counterpoint Research｜Global NAND Memory Market Share: Quarterly
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- 23Samsung Electronics Announces Second Quarter 2026 Results
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- 26SK hynix｜SK hynix Announces 2Q26 Financial Results
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- 38长江存储官网｜PE522 企业级固态硬盘
ymtc.com
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- 43
- 44北京同有飞骥科技股份有限公司 2026 年度向特定对象发行 A 股股票募集说明书（修订稿，2026-09-11）
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