长鑫第五代 DRAM 平台量产：11.95 纳米，与一句「同水平」
Reuters 报道，长鑫存储在合肥世界制造业大会上宣布第五代 DRAM 技术平台量产：有源区半间距 11.95 纳米、每片晶圆裸片数较上一代至少提升 50%；这篇核对这句「与最先进量产节点同水平」的证据层级、11.95 纳米为什么找不到对照物，以及它在 HBM 上的实际位置。
9 月 20 日，合肥，2026 世界制造业大会的开幕式上，长鑫存储宣布第五代 DRAM 技术平台进入量产1。
路透在同一条稿子里加了自己的保留：a claimed breakthrough，自称的突破1。
公司给出的数字有四个。存储阵列的有源区半间距微缩到 11.95 纳米，存储电容深宽比做到 45:1，核心功能区高度压到 6762 纳米，每片晶圆裸片数较第四代平台提升至少 50%2。
同步展出的还有两款基于新平台的 LPDDR5X 产品，单颗容量 24Gb，分别采用 496Ball 与 245Ball 封装，公司说它们已经进入规模量产2。
长鑫科技集团副总裁骆晓东在台上说的一段话，是整场发布里分量最重的一句：「我们的工艺能力现在与业界最先进量产节点同水平」1。
先把证据边界划出来：下面每一句话能被当成什么，取决于这一层。
路透的详情页这次能直接取到，11.95 纳米、四重曝光、50% 这三处关键表述都在原文里1。
这些数字目前能追到的最早出处，是发布会现场的大屏：11.95nm、45:1、6762 nm、">50% 提升"，最后一行底下标着「每片晶圆裸片数量 DPW」4。
核心问题因此是：这句「与业界最先进量产节点同水平」，能被核到什么程度？
01｜一句「同水平」是怎么说出来的
先看这次发布到底给了外界什么。
工艺路线写得很具体。公司说自己用「四重曝光」把内存阵列的有源区半间距做到 11.95 纳米；路透对这四个字的解释是，它通过重复若干道制造步骤来得到更细的电路图形1。
中文材料里同一项技术还有另一个名字——「四重自對準圖形工藝」，路透的英文原文里没有 self-aligned 这个词4。
真正需要读者停下来看的是那个 50%。
它有三个限定：基准是 8Gb 颗粒，指标是每片晶圆的毛裸片数，口径落在剔除坏片之前1。
同一个数字，报的不是良率，而是一片晶圆上能切出多少颗芯片。
另两个指标目前没有对照物。深宽比 45:1 与核心功能区高度 6762 纳米都只有公司自己给过，公开材料里找不到同时期的同类数字可以并排放2。
产品的容量口径也容易被中文快讯写错。长鑫说的是单颗 24Gb，换成字节是 3GB；而在另一家厂商 SK 海力士的官方发布页上，同类产品的模组容量写法是「24GB LPDDR5X」8。单颗与模组是两把尺子，两个数字不能并列比较。
还有一个细节能说明这家公司的计量习惯。
从第一代到第五代，「8Gb 基准」这条尺子没换过。
这次发布的四个数字全部出自公司自己；到发稿为止，没有任何第三方测量或复现过它们。
02｜11.95 纳米找不到对照物
那能不能把 11.95 纳米拿去和三星、SK 海力士、美光的最先进节点比一比？
公开材料给出的答案是：没法直接比。
美光官方对自家最先进的一代 DRAM（代号 1γ）给出的可比数字是：每片晶圆位密度较上一代提升超过 30%，DDR5 速率最高 9200MT/s，功耗最多降低 20%；工艺上写明使用极紫外（EUV）光刻与下一代高介电常数金属栅（HKMG）10。
半间距的绝对值，官方没有给。
三星与 SK 海力士对外用的也是代际名——1a、1b、1c、1γ 这一套，而不是纳米数。
所以拿 11.95 纳米去对三大厂的最先进量产节点，在公开层面不存在可以并排放的数字。唯一能放在同一把尺上的，是同样以 8Gb 为基准的每片晶圆裸片数，而那个数字目前只有长鑫自己报过。
第三方给过定位，但用的是估算语言。
SemiAnalysis 把长鑫的上一代平台定为「1z 等效」、把这一代定为「1a 等效」，并称这一代理论上可以像美光在 1a 节点那样、在没有 EUV 的条件下继续推进，但要面对越来越大的制造与设计挑战11。
同一份简报里还有一句更关键的：它认为长鑫上一代平台的良率虽已改善，但仍低于 1z 节点 85%—90% 的行业成熟良率水平11。
三大厂当下的量产主力已经推进到各自的新一代平台。按 TrendForce 转述韩国媒体的口径，SK 海力士最新一代（它自己叫 1c）约占其今年二季度 DRAM 产量的 13%，预计四季度升到 34%——这条属二手转述，本文只作方向参考12。
设备这一侧，能查到的官方文件只有一份。
荷兰政府 2024 年 9 月 6 日的新闻稿把全国性出口授权要求的对象写成「深紫外（DUV）光刻设备」，逐案审批，不是禁令；全文没有出现 EUV 字样13。
EUV 本身对华出口状态，这次没有取到官方一手文件，本文按「公开材料里没有许可记录」处理。
四重曝光，就是在这样的设备条件下把同一层图形反复做几遍的办法。
至于这条路的代价——多出来的工序、更长的周期、更难的良率——这次没有找到可引用的量化报告，只有上面的定性描述。
官方文件能证明的是许可要求卡在 DUV 上；四重曝光是绕开 EUV 的办法，而这条路的代价至今没有公开数字。
03｜份额 10%：这条发布站在什么周期上
把这条发布放回产业里，才看得出它值多少。
两家机构都给了长鑫今年二季度的位置，数字接近但不相等。
Counterpoint 的口径是按收入：长鑫二季度份额 10%，去年同期是 4%；同期三星 38%、SK 海力士 25%、美光 24%14。
TrendForce 的口径是：长鑫二季度份额 9.5%、排在第四，前面是三星 39.4%、SK 海力士 24.9%、美光 23.3%15。
两家给出的差额是 0.5 个百分点，都是季度收入口径，本文并列两组数字。
周期这一侧的背景更值得看。
TrendForce 的官方稿给出：今年二季度全球 DRAM 行业收入约 1547.3 亿美元，环比增长 59.5%；同时预计传统 DRAM 合约价的季度涨幅在三季度收敛到 13%—18%16。
价格还在涨，涨幅在收窄，这就是长鑫交出这份成绩单的季度背景。
披露半年报的是上市主体长鑫科技集团股份有限公司，长鑫存储是它对外用的名字，官网页脚标着的证券代码 688825 就是这家公司6。
它今年的账本是这样：上半年营业收入 1503.1 亿元，同比增长 873.64%，归母净利润 776.05 亿元，同比扭亏为盈17。
再往前一年，2025 年全年营收 617.99 亿元、归母净利润 18.75 亿元18。
真正决定这门生意重心的地方在产能分配上。
SemiAnalysis 估算，长鑫 2025 年底产能约 265 千片/月，2026 年底约 350 千片/月，略低于美光估算的约 385 千片/月11。
同样出自这份估算，2025 年底长鑫约 265 千片/月的产能里，分配给 HBM 的只有约 5 千片/月；预计 2026 年底约 30 千片/月11。
官网页面上找不到 HBM 的位置：产品栏只有 LPDDR6、DDR5、LPDDR5/5X 与 LPDDR4X 四类，公开材料里也没有出现过 HBM 的官方产品披露5。
市场上流传的 HBM 进展全部来自匿名信源报道，本文不作为事实使用。
管制这一侧留着一处必须说明的空白。美国国防部 2026 年 6 月 10 日公布的 1260H 名单把 ChangXin Memory Technologies 列为中国军事公司，给的理由是与工业和信息化部直接关联、与国资委和工信部间接关联19。
它在美国商务部实体清单上的状态，这次没能用一手文件确认——联邦公报的全文检索只返回 1260H 与联邦采购规则两类结果，没有实体清单的增补文件。这一点本文只作存疑处理。
长鑫真正的位置不在 DDR5 的单片指标上，而在 HBM 的产能分配里：那里它到 2025 年底只有约五千片/月。
04｜接下来能核的四件事
第一件是那个 50% 能不能被复现。
第二件是这两款产品进了谁的机器。
第三件是 HBM 的位置。
第四件是管制口径会不会再变。
| 接下来要核的四件事 | 现在能核到什么 | 还差什么 |
|---|---|---|
| 那个 50% 的复现 | 公司口径为 8Gb 基准、每片晶圆毛裸片数、剔除坏片之前；现场大屏标 DPW14 | 同一平台的实际良率或带良率的有效裸片数；任何第三方的独立测量 |
| 两款新品进了谁的机器 | 公司称 24Gb LPDDR5X 已规模量产，两种封装；未公布客户12 | 手机或整机客户名单与出货时间；官网至今没有这条产品通稿5 |
| HBM 的位置 | 第三方估算 2025 年底 HBM 晶圆分配约 5 千片/月，2026 年底约 30 千片/月11 | 公司口径；官网产品栏没有 HBM，官方从未披露过 HBM 产品5 |
| 管制口径 | 1260H 名单在列（理由为与工信部、国资委关联）19；荷兰许可要求明确覆盖 DUV 设备13 | 实体清单状态的一手确认；EUV 对华出口的官方文件；荷兰的许可要求是否覆盖多重曝光工艺用到的其他设备 |
从第一代走到第五代，中间要跨过的正是第二节里那几道工序：四重曝光、良率，以及在没有 EUV 的条件下把整套工艺做出来。
那句「同水平」目前只有台上那一个人说过。要把它变成产业事实，需要的是有人能独立量出同一片晶圆上的良品数。
References
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- 4
- 5长鑫存储｜企业动态
cxmt.com
- 6长鑫存储｜官网首页（页脚标注证券代码 688825）
cxmt.com
- 7四川在线｜长鑫存储宣布：第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破（2026-09-20 15:21:39 CST）
sichuan.scol.com.cn
- 8
- 9长鑫存储｜关于我们与发展历程
cxmt.com
- 10Micron｜1γ (1-Gamma) DRAM Technology
micron.com
- 11SemiAnalysis｜China's CXMT Is Set to Challenge DRAM Incumbents（2026-06-23，付费简报，本次取到公开可见部分）
newsletter.semianalysis.com
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- 14Counterpoint Research｜Global DRAM and HBM Market Share: Quarterly（数据口径 Q2 2026）
counterpointresearch.com
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