长鑫说年底拿出 4F² 服务器内存，彭博把这句话标为「未经证实」
彭博把长鑫的 4F² 进展标为「未经证实的主张」，而中文报道早了两天半。本篇把这句话拆成三层：4F² 换掉的是什么、三星与 SK 海力士各自走到哪一步、韩股那两天跌的到底是谁的账。
北京时间 10 月 13 日 13 时 07 分，彭博发出一篇报道。标题里，长鑫存储的这次进展「领先三星、海力士」。1
同一篇的正文第一句，把这件事叫作「未经证实的主张」（unsubstantiated claim）。1
被称作「未经证实」的，是长鑫存储总裁曹堪宇三天前在上海讲的一句话：长鑫存储预计年底推出采用 4F² 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品。
01 这句话是谁在哪儿说的
10 月 9 日到 10 日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海举行，主办方是复旦大学、中国科学院计算技术研究所和武汉大学。2
大会官方公众号 10 月 10 日 17 时 25 分发的通稿写得很具体：长鑫科技集团总裁曹堪宇围绕「基于 DRAM 器件与产品创新，探索内存与系统集成新范式」作主旨报告，报告里介绍了长鑫在「存储阵列晶体管、4F² 架构、内存与逻辑晶圆级键合」上的积累。3
当天 20 时 54 分，第一财经把产品那一层补上：长鑫存储预计年底推出采用 4F² 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品。4
长鑫存储是上市公司长鑫科技（688825.SH）的核心子公司，曹堪宇任长鑫存储总裁、2017 年加入。5
同一人的身份还有另一层。长鑫科技 7 月的科创板上市公告书里，他是董事、总裁、核心技术人员。6
彭博比中文报道晚了大约两天半。
而长鑫自己一句话都没说。官网「企业动态」最新一条停在 9 月 20 日——那天它宣布第五代 DRAM 平台量产，7 官方公众号最近一条是 10 月 1 日的国庆推文。
这条消息的一手出口是一家中文财经媒体和会议主办方；彭博添上去的，是它的对标方式与定性。
02 4F² 换掉的是什么
一个 DRAM 存储单元，是一个晶体管加一个电容。8
单元面积用 F² 记，F 是光刻能做到的最小线宽。4
今天产线上的主流是 6F²，单元是 3F 乘 2F 的矩形。9
4F² 把它改成 2F 乘 2F 的正方形。8
面积小掉约三分之一，同样工艺尺寸下的理论单元密度高出一半。10
这个方向被搁置二十年，是因为 6F² 一直还缩得动。它只能再缩到 1d 这一代工艺节点，再往下，存储节点接触的开孔越来越难做，位线电阻一路升高，读出的信号余量会被一起吃掉。11
代价是晶体管要推倒重来。
原来沟道横躺着，现在要立起来。竖起来之后，不占更多面积也能把沟道加长，栅极再包上去，短沟道漏电才有得治。9
长鑫把这个立起来的栅极叫 VSG。第一财经写的全称是 Vertical Surrounded Gate、中文是「垂直包围沟道结构」；4 证券日报同一场报告写的是 Vertical Surrounding Gate、「垂直包围栅」。12 三星管它叫 VCT，SK 海力士管它叫 VG。9
这个想法本身很老。美光 2004 年就递交过一件把垂直晶体管用在 4F² 存储单元上的专利。13
真正难的是另一半：怎么把它造出来。
竖起来的柱子是高深宽比结构，刻蚀和沉积都难。把这种结构放回单片晶圆上做，制造时的高温会伤到旁边的解码器和读出放大器。9
业界的办法是把阵列和外围电路分到两片晶圆上，再用晶圆对晶圆混合键合封起来。10
长鑫说它在 4F² 上的公开专利族超过 300 件，这是曹堪宇自己在会上给的数。4
混合键合这条线，长鑫说自己 2019 年就开始独立研发，2025 年在 IEDM 上发表论文，第一次在 12 英寸晶圆平台上完成 DRAM 与 CMOS 的晶圆级键合实验验证。14
独立机构也把这条路排在了前面。TechInsights 的判断是，基于垂直沟道晶体管的 4F²，是目前最被看好的下一代 DRAM 方案。15
4F² 拆掉的是 6F² 时代那一整套设计与流程，顺着现有产能顺手做不出来。
03 三星和海力士走到哪一步
今年 2 月，三星在旧金山 ISSCC 2026 上发表论文 15.10，题目就是「垂直沟道晶体管 4F² 加外围单元架构加晶圆对晶圆铜键合」，做出来的是一颗 10 纳米级 16Gb 芯片。16
论文给了一组可以量大小的数字。
同设计规则下，每片晶圆能产出的芯片数多两成以上。9
键合用的互连，从 2880 万条压到约 1000 万条，键合间距约 300 纳米——晶圆级键合的一个新刻度。9
三星自己在论文里说，这颗芯片还没走完量产验证；连接两片晶圆会拉长信号路径，还可能带来层间电压干扰和 RC 延迟。9
到 3 月，三星用 10a 工艺产出了第一片能点亮的样片。17
10a 是 1d 之后的下一代工艺，线宽约 9.5 到 9.7 纳米，业界称它是第一个亚 10 纳米节点；行业预期它在 2028 年转量产。17
三星给 2030 年定的两个数是：DDR 单 pin 速率从现在的约 7Gb/s 提到 10Gb/s，每比特能耗从约 3 皮焦降到 2 皮焦。9
SK 海力士的口径更早也更明确。
2025 年 6 月 10 日，它的官网新闻稿写明，公司会把 4F² VG 平台和 3D DRAM 用到 10 纳米及以下的工艺上。8
它已经把 4F² 阵列和「外围电路置于单元之下」的工艺集成发成了论文。8
美光走了另一条路。
服务器 DDR5 这块阵地，两家已经站了很多年。SK 海力士 2020 年 10 月宣布全球首个 DDR5 上市，2025 年 12 月又第一个把 32Gb 颗粒做的 256GB DDR5 RDIMM 送过英特尔至强 6 平台认证；三星在产 128GB DDR5-6400。10
开头那句「领先三星、海力士」，就是这么算出来的。
有媒体把长鑫「年底推出」的时点，和三星「2028 年生产」的路线相减，得到大约早两年。19
韩国媒体用了同一个算法，然后自己补了一句：长鑫技术是否真的领先三星，难以断定。20
那个两年，是拿长鑫的发布时点，去比三星的量产时间表。
04 市场先信了什么账
消息落到韩国市场，是 10 月 12 日。
当天收盘，KOSPI 报 6384.24 点，跌 3.65%；三星电子收 250500 韩元、跌 4.39%，SK 海力士收 1605000 韩元、跌 4.52%。21
第二天上午，KOSPI 盘中跌破 6000 点，两只个股盘中一度跌到 8% 和 10%，KOSDAQ 同步跌 4.23%。22
隔夜美股存储股也在跌：美光收跌 3.88%，SanDisk 跌 5.97%，费城半导体指数跌 2.67%。23
但把镜头拉开，这条消息进的是一个已经在跌的市场。
KOSPI 距 6 月 22 日的历史最高收盘已经跌掉约三分之一，跌破 200 日均线，10 月外资净卖出超过 60 亿美元。23
同一天还有一个人往火里添了柴。
博通 CEO 陈福阳在新加坡一个活动上说，很多投资者根本不知道自己投的是什么，期望定得极高，最后发现「差不多像进了赌场」。24 同场，英特尔 CEO 陈立武说内存可能是最先失去部分动能的细分市场之一。24
韩方机构的读法，是把三件事摞在一起。
iM 证券研究员把「AI 基建融资与盈利担忧、长鑫技术追赶、外资卖出的供需压力」并列为三条原因。22
给彭博的两句更值得留在账上。
Eugene Asset Management 首席投资官 하석근 说，市场担心的是这轮上行周期撑不撑得到 2028 年及以后。23
Fibonacci Asset Management Global 首席执行官 정인윤 说，三星的强劲业绩被「长鑫未来的竞争和 AI 支出的可持续性」盖住了；但长鑫还得把技术进展变成有商业竞争力的大规模量产。23
长鑫是这轮下跌里被拿来说事的一条；跌势起得比它早，账也不止它一个。
05 从「年底推出」到「量产」还差什么
第一件要先钉住的事是：年底拿出来的是什么。
韩国媒体给出的判断是，长鑫年内推出的产品可能只有一部分采用 4F² 技术；亮出产品和量产成功是两回事，真正的竞争力要看良率、成本和客户。20
会上没有公布的清单很长：容量、速率、良率、客户认证时间，一个都没有。10
为什么这些数字难拿，看服务器内存本身的规矩。
DDR5 RDIMM 要支持 7×24 小时不间断运行，要扛住带电热插拔的电压冲击，还要跟不同厂商、不同代际的 CPU 和主板跑完数百项兼容性测试。12
这套流程比消费级内存长得多。
产能那头，外媒转述的长鑫规划是：到今年底做到每月 30 万片 DRAM 晶圆，再靠上海与合肥两座新厂，长期做到每月 60 万片。20
再看它现在的身位。
长鑫科技 2025 年服务器 DRAM 收入约 159.7 亿元，是上一年的 8.3 倍，占主要 DRAM 产品收入的比例从 8.39% 升到 26.51%。10
2026 年上半年，长鑫科技营收 1503.1 亿元，同比增长 873.6%。10
按 TrendForce 的口径，长鑫 2026 年二季度在全球 DRAM 收入里排第四，份额从 7.6% 升到 9.5%；它前面是三星 39.4%、SK 海力士 24.9%、美光 23.3%。25
最难的那块仍然是 HBM。半导体分析机构 SemiAnalysis 估计，长鑫八层 HBM3 的综合良率约 25%，SK 海力士在 90% 以上。10
9 月，长鑫才刚把 LPDDR6 装进小米的折叠屏旗舰机——那是它第一次进旗舰手机。10
4F² 这一仗真正要过的是服务器客户的认证表，那张表不在发布会上打分。
还没证实的那部分
「2028 年」这个年份来自行业预期，三星与 SK 海力士都没有公开给出 4F² 的量产时间表。26
这份产品要到年底才发布；在那之前，4F² 是否真的进了产品、进了多少，没有第三方可以验证。
曹堪宇在会上还说，长鑫 2021 年发布了中国大陆首篇 4F² 架构相关论文。这句话找不到可核的题录；论文那条线上能核到的，是 2023 年 IEDM 上长鑫那篇环绕栅极论文，长鑫当时声明它属于 4F² 设计可行性的基础研究。27
「领先三星两年」目前只有媒体推算，没有厂商或机构给出背书。19
| 厂商 | 垂直单元方案的公开进展 | 公开时间表 | 服务器 DDR5 的位置 |
|---|---|---|---|
| 三星电子 | ISSCC 2026 论文 15.10：VCT 4F² 加外围单元架构加晶圆对晶圆铜键合，10 纳米级 16Gb，尚未完成量产验证 16 | 3 月以 10a 工艺产出首片能点亮样片，行业预期 2028 年转量产 17 | 在产 128GB DDR5-6400 等服务器 RDIMM 10 |
| SK 海力士 | 官网明确 4F² VG 平台用于 10 纳米及以下，已发 4F² 阵列加外围电路置于单元之下的论文 8 | 未公布量产时点，媒体报道其落点在 10b 工艺 17 | 2020 年 10 月首个 DDR5 上市，2025 年 12 月首个通过至强 6 平台的 256GB RDIMM 认证 10 |
| 美光 | 官方技术页只到 1γ 与 EUV 加高介电常数金属栅极，比上一代每片晶圆位密度提升三成多 18 | 被报道跳过 4F²、直接做 3D DRAM 10 | 2Q26 全球 DRAM 收入份额 23.3%，排第三 25 |
| 长鑫存储 | 会上公布自研 VSG 垂直包围栅晶体管与混合键合，公开 4F² 专利族超 300 件；官网对 4F² 零公告 4 | 预计年底推出首代 4F² 架构 DDR5 RDIMM，容量、速率、良率与客户认证时间均未公布 20 | 2Q26 全球 DRAM 收入份额 9.5%、排第四；服务器 DRAM 收入占比 2025 年为 26.51% 25 |
References
- 1
- 2ICCC 2026 官网：大会议程
iccconf.cn
- 3集成芯片和芯粒大会官方公众号：第四届集成芯片和芯粒大会在上海拉开帷幕
mp.weixin.qq.com
- 4第一财经：突破壁垒！长鑫 4F² 架构落地在即，发力高端服务器内存市场
yicai.com
- 5长鑫存储官网：关于我们·管理团队
cxmt.com
- 6新浪财经：长鑫科技首次公开发行股票科创板上市公告书（2026-07-24）
vip.stock.finance.sina.com.cn
- 7长鑫存储官网：企业动态
cxmt.com
- 8
- 9
- 10Economy Tribune：中 창신메모리, 연내 '4F²·하이브리드 본딩' 서버 D램 출시 추진
economytribune.co.kr
- 11SemiAnalysis：Intel 18A Details & Cost, Future of DRAM 4F2 vs 3D
newsletter.semianalysis.com
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- 13Micron 专利 US7521322B2：Vertical transistors
patents.google.com
- 14快科技：国产DRAM重大突破！长鑫4F架构产品年底亮相
news.mydrivers.com
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- 16ISSCC 2026 Advance Program（论文 15.10）
submissions.mirasmart.com
- 17
- 18Micron：1γ (1-Gamma) DRAM Technology
micron.com
- 19Wccftech：CXMT To Leapfrog Samsung By ~2 Years
wccftech.com
- 20
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- 27电子工程专辑：长鑫存储发布 GAA 技术相关论文
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