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美国说过不批技术升级,两条在华产线还是动了
2026-10-21

美国说过不批技术升级,两条在华产线还是动了

路透独家称三星西安与 SK 海力士大连正在升级闪存产线;这篇把两家公司的声明、美国一年前那句「不批升级」的原话,与每年一次的审批机制摆在一起,算清这两条线被放行到了哪一代。

海外AI独家·科技评论
海外AI独家·科技评论@FC
10 月 21 日中午,路透发出一篇独家。
三星在西安的闪存工厂、SK 海力士在大连的闪存工厂,正在升级,要生产更先进的芯片。这条消息来自四名知情人士。两家公司都向路透确认了这件事,也都说在与华盛顿密切磋商。1
十四个月前,美国的出口管制部门说过另一句话。
2025 年 8 月 29 日,美国商务部工业与安全局(BIS)宣布取消三家在华工厂的「验证最终用户」资格。新闻稿里写着:今后打算发放许可,让这些工厂继续运营;但不打算为在华工厂的扩产或技术升级发放许可。2
一句「不打算」,一句「正在升级」,中间隔了十四个月,和一份从未公开条款的年度许可。

01|两份声明

我们把两边的话摆在一起。
BIS 那句是新闻稿里的政策意向。同一天发布的规则本身只做了一件事:把三张通行证收回。3
被收回的资格叫 VEU,一张让这几种工厂免去逐案许可的通行证。
名单上是三家公司:英特尔大连、三星中国半导体、SK 海力士中国半导体,2025 年 12 月 31 日生效。
英特尔大连那座厂,2021 年随英特尔的闪存业务卖给了 SK 海力士,也就是今天的大连厂。
三星给路透的书面声明是这样写的:升级符合美国出口法规;「升级是为了满足包括美国客户在内的全球客户日益增长的需求。公司没有扩大产能,也没有新建工厂。」1
逐字读一遍:它否认了扩产。技术升级那半句,它留白了。
能公开查到的边界,只有这一句声明。
路透去问 BIS,BIS 没有回答许可批到了哪一步,只把 2025 年那句表态又念了一遍。1
路透也写了自己的限度:无法确定美方到底为升级所需设备批了多少。1

02|一年换两次

西安是三星在海外的闪存基地,占它全球 NAND 产量的四成左右。1
NAND 靠往上堆层数换密度,层数多一层,同一片晶圆上就多一份容量。
路透说那里现在做的是 200 层上下;研究机构 TrendForce 记录的转换是今年 3 月底完成,从 128 层换到 236 层,为此产出同比掉了 5% 到 6%。4
同一座厂一年换两次层数,工艺那一关早就过了,卡住它的是另一件事。
这次的项目内部叫「Monami」,法语里「我的朋友」。产品是 286 层 V9。今年 12 月月产 5,000 片,2027 年 12 月到 40,000 片,后面这个数字来自一名知情人士。1
286 层在三星自己的货架上是什么位置?
它 2024 年 4 月就量产了,到今天仍是三星对外销售的产品里层数最高的一款;今年 8 月,三星在加州的闪存峰会(FMS)上展出了 400 层以上的 V10 原型,密度比 V9 高约 58%。56
路透自己的说法是,这次升级会把西安拉到与韩国产线相同的水平。
三星拿到的是自家在韩国的主力,今年的前沿还在展厅里。
算一下量。西安投片约 15 万片/月,4 万片是四分之一强。4
把这一块投片从 200 层换到 286 层,密度加四成三;按刚换上的 236 层算,只加两成。
折到三星全球 NAND 的位元供给上,是 2% 到 5%。
这是按层数线性推的粗账,芯片面积与良率的账没算进去。
这一轮升级的吨位,比它的信号小得多。

03|240 这个数字

大连现在是 192 层,要转到 240 层以上,三名知情人士。1
一名知情人士补了一句更硬的话:公司获授权在大连做到 240 层;想在当地研发 300 层以上的产品,得另外向华盛顿申请。1
SK 海力士自己在全球卖的是 321 层,下一代目标 375 层。5
240 对 321,中间隔着一代半。
这块地 2021 年跟着英特尔的闪存业务一起买来,今天仍是 Solidigm 唯一的 NAND 制造基地。1
Solidigm 是那块业务的美国主体。它 9 月底开始选聘投行,最早 2027 年赴美上市。7
10 月 14 日,路透另一篇独家把大连和美国新厂接上了:SK 海力士正向华盛顿申请,把更多美国设备运进大连以提高产量,而这件事被当作它在美国建新厂的条件。8
那篇里还有一句关于数量的表述:2025 年 12 月发给大连的 2026 年度许可,限定了设备数量;2027 年度的许可,到 10 月中还没有发。8
大连产线上跑的是泛林、应用材料、科磊的设备,三家都是美国厂商。8
设备归美国管,产量就跟着许可走。
升级走的是台阶:每一级多高,由那张年度许可证决定。

04|为什么是现在

答案在武汉。长江存储的总部和产线都在那里。
Omdia 的数字:2026 年二季度,长江存储在中国 NAND 市场的份额 38.5%,2025 年全年是 28%,已经超过三星;三星从 36% 降到 33.5%,SK 海力士从 20% 降到 17%。1
口径要说清。这是中国市场。
全球是另一张表。Counterpoint 按营收算,长江存储 14%,三星 28%。9
TrendForce 那张前五名榜单干脆不排它,只算上市公司,五家合计 87.6%,三星 29.3%。10
同一个名字,在两个口径里差二十多个百分点。
混着用会得出相反的结论。
长江存储现在的产品主力是 160 层与 232 层,少量 294 层,计划做 300 层以上。1
长江存储控股 8 月 21 日挂出的招股书给了另一组数字:2026 年一季度营收 470.42 亿元,净利 333.79 亿元,产能利用率 98.02%。11
它要募 330 亿元,其中 208 亿元用于量产线技术升级。
于是华盛顿那边也有了一个说得通的算盘:让两家韩企在不新建厂房的前提下把在华产线往前推,比让长江存储独吞中国的供货更合算。
这套解释没有文件背书。
它的反证条件很清楚:如果许可只批到维持现状、产出停在 236 层这一档,这套说法就站不住。
另一条同样成立的解释是钱。路透 10 月 14 日的消息人士说,中国的产出能帮 Solidigm 给美国的新厂筹资。8
两条不冲突。升级要许可,建厂要钱,两边互为筹码。

05|许可长什么样

2025 年 12 月,BIS 给两家发了 2026 年度许可。
SK 海力士在自己 6 月递交的 F-1 里写得很清楚:作为 VEU 框架的替代,BIS 实施了年度审批机制,公司须每年提交计划,说明对美国原产设备的预计需求;2025 年 12 月,BIS 给了 2026 年度许可。12
韩联社把机制讲得更细:企业每年申报所需设备与零部件的种类和数量,美方按年审批。13
报关层面,它有了正式名字:Fab License,代码 C79。许可签给工厂,以 routed transaction 方式下发给供应商。
放行范围覆盖出口管制清单上的大部分类别,例外是 3B001.f.1.a,以及因导弹技术、犯罪管制受控的物项;BIS 没有说明 3B001.f.1.a 对应哪种设备。14
这套东西管的是设备,不管代际。
代际是被设备带进去的。
「不扩产」于是被写成一句可操作的话:不新建厂房,不新增投片。
SK 海力士对路透的说法正是这个句式:在大连厂一块叫 Mod B 的厂房里安装设备,是在与美方磋商并取得授权之后进行,公司没有寻求扩大该设施的产能。那处厂房 2023 年建成,当时没装满。8
在已经盖好的厂房里补设备,产出会上升,而账记在「维持」这一栏。
定义上的这一寸,就是 286 层能进西安的通道。
BIS 自己在年报里的说法更直白:许可恢复之后,「这些工厂的产能与技术水准处于受控状态」。15
受控的意思是:谁动、动多少,由批的人定。

06|它与 AI 的那条线

闪存的账,最后记在推理成本里。
企业级 SSD 已经吃掉全球 NAND 位元出货的 48%,Counterpoint 预计到今年底过半。16
2026 年企业级 SSD 的位元需求同比涨 80% 以上。17
涨价最凶的也是这一类。三季度合约价环比涨 18% 到 23%,四季度预估再涨 15% 到 20%,四季度唯一加速的品类就是企业级 SSD。17
全年供需缺口 4% 到 5%,2027 年下半年才转正。18
模型这一侧在反着使劲。DeepSeek 说 V4.1-Flash 对 SSD 的需求降到上一代的八分之一,上下文硬盘缓存默认对所有用户开启。1920
压到八分之一,存储这一层仍然留在推理路径上。
韩企在华的产出变多,全球的供货会松一点。
这些产出并不专供中国。三星自己说得很清楚,客户包括美国的。1
对长江存储,这条线的另一面是:中国市场上的对手变强了。

07|判断

在 AI 科技评论看来,这条新闻最值得记的是机制。
第一,抓手是设备数量,加上每年一次的审批。它可以一年一调,每一次续期都是一次谈判。
第二,两条线的天花板不一样高。
三星被拉到自家在韩国的主力层数,286;SK 海力士只拿到 240,比自家在韩国的 321 低一档。这个差别,公开文本里没有解释。
第三,真正的变量在武汉。
长江存储把 300 层以上做成规模,240 与 286 这两条线就又落后一档。
下一张许可证是 2027 年度,到现在还没发。

References

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    Department of Commerce Closes Export Controls Loophole for Foreign-Owned Semiconductor Fabs in China

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    Samsung Xi'an NAND Output Reportedly Dips 5%–6% Amid 200+ Layer Shift

    trendforce.com

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    The Race to 400-Layer NAND: Roadmaps and Key Technologies Driving Samsung, SK hynix, and Kioxia

    trendforce.com

  6. 6
    Samsung Unveils Next-Gen 3D-Memory Vision at FMS 2026

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    Exclusive-SK Hynix's Solidigm weighs IPO that could value the unit at up to $150 billion

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    reuters.com

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    Global NAND Memory Market Share: Quarterly

    counterpointresearch.com

  10. 10
    Combined Revenue of Top Five NAND Flash Brands Rises 77% QoQ in 2Q26

    trendforce.com

  11. 11
    长江存储控股股份有限公司招股说明书(申报稿)

    static.sse.com.cn

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    SK hynix Inc. Form F-1

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  13. 13
    美, 삼성·SK 中반도체공장 장비반입 규제완화…연간계획 승인

    yna.co.kr

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    NEW BIS LICENSE TYPE C79 - Fab License

    content.govdelivery.com

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    BIS FY 2025 Annual Report to Congress

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    Counterpoint报告:长江存储2026年Q2出货量跻身全球前三

    eet-china.com

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    AI Server Demand Sustains Memory Contract Price Increases in 4Q26

    trendforce.com

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    NAND Flash Supply Growth to Outpace Demand in 2027

    trendforce.com

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