11.95 纳米、四重曝光：长鑫宣布第五代 DRAM 平台量产 (2026)

长鑫存储（CXMT，688825）9 月 20 日在合肥的世界制造业大会开幕式上宣布，第五代 DRAM 技术平台进入量产。路透社当天从北京发稿，记下三个数字：这条平台把芯片里存储数据那部分的关键特征间距压到 11.95 纳米；两颗 24Gb 的 LPDDR5X 已经量产；以 8Gb 颗粒为基准，每片晶圆能切出的裸片数量比上一代平台至少多 50%。1

路透社给这份宣布用了一个限定词：a claimed breakthrough，宣称的突破。同一个段落里，记者还写明那个 50% 是「每片晶圆能做出多少颗芯片的潜在数量，而不是通过最终测试的比例」。1

这条平台对准的是三星电子、SK 海力士与美光。按 TrendForce 的口径，2026 年一季度长鑫在全球 DRAM 营收里排第四、份额 7.6%，前三家合计 89.7%。2

下面把这份宣布拆开：哪些数字可以自己动手核，哪些还停在公司口径里。

01｜路透社这篇稿写了什么

稿子发布于北京时间 9 月 20 日 11:54。它开头写的是：这家中国 DRAM 厂商周日说，它的第五代技术平台已进入量产，这是一项「宣称的突破」，可能帮助中国在存储芯片的全球市场里，造出一个对三星电子、SK 海力士与美光更有力的竞争者。1

DRAM 是动态随机存取存储器，手机、电脑与其他设备运行程序时用的短期工作内存。路透社写，这条平台的设计目标是「以更低的成本、更少的功耗做出更强的存储芯片」，同时给电子厂商增加一个智能手机等设备所用芯片的供应来源。1

工艺部分，稿子给出三条：

新平台把存储数据的微小结构排得更密，让每颗芯片装下更多存储、每片硅晶圆切出更多颗芯片；
公司把芯片存储数据那一部分的关键特征间距缩小到 11.95 纳米，也就是约 120 亿分之一米；
做到这一点靠的是「quadruple patterning」，四重曝光，即重复若干道制造工序来做出更细的电路图形。1

稿子引了长鑫副总裁兼营销中心负责人骆晓东在合肥会上的原话：

"Our process capability is now on par with the most advanced mass-produced nodes out there in the industry."

译：我们的工艺能力现在已经与行业内最先进的量产节点处于同一水平。1

产品部分，长鑫同时发布了两颗基于新平台的 24 吉比特（24Gb）LPDDR5X。LPDDR5X 是省电型 DRAM，主要用在智能手机与其他便携设备上。路透社写，这两颗产品各自比长鑫此前同类产品多装 50% 的数据、已经量产，并提供两种封装形态以适配不同的手机与便携设备设计。1

产能那一句，是这篇稿子里最容易被读快的一句：长鑫说，以 8 吉比特芯片为基准，这条平台每片晶圆能产出的毛芯片数（gross chip dies），比它的第四代平台至少多 50%。路透社紧接着注明，这个指标衡量的是「排除不良品之前，每片晶圆可能做出的芯片数，而不是通过最终测试的比例」。1

稿子还写了这条平台的开发方式：靠计算机模拟，并与中国本土的芯片设备厂商在关键生产步骤上合作。1

背景一句是这一整条线的出发点：北京一直在设法降低对外国半导体技术的依赖，而美国自 2022 年以来的出口管制，限制了中国获取某些先进芯片制造设备与相关软件。1

02｜11.95 纳米、四重曝光、45:1 各指什么

同一天的中文通告比路透社的稿子长，把工艺名词写全了。安徽的中安在线在开幕式当天发出的稿子里，长鑫给出的关键数据是这些：3

依托四重曝光技术，把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米；
通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1；
开发了适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG），把核心功能区的高度缩小；
研发用了一套数字孪生系统，在产品全生命周期里搭建先进 DRAM 工艺模型；
在界面工程、鞍形鳍式结构、低 k 间隔层位线等工艺上也有突破。3

有源区半间距是 DRAM 芯片里存储单元阵列的尺寸指标。行业把这一代 DRAM 工艺按 1x、1y、1z、1α 这样往下排，美光自己的技术说明里写得很直白：1α 是「10 纳米级的第四代」，半间距落在 10 纳米到 19 纳米之间；这些代号来自半间距，本身就是一档范围，不对应某一个实测尺寸。4 11.95 纳米落在这一档里最窄的一段。

四重曝光是把同一层电路图形分多次曝光、刻蚀来完成，用有限的设备做出更密的阵列。45:1 说的是存储电容要做得很深、很窄，深宽比越高，工艺越难。3

通告末尾附了一段「注」，这段字比正文更值得读：有源区半间距、深宽比与核心功能区高度，都是「实际产品测量数据，存在正常测量偏差」；提升比例基于与长鑫第四代技术平台的对比；每片晶圆产出裸片数量（DPW）「均换算为 8Gb 颗粒基准统计」。3

03｜「每片晶圆多出 50%」说的是潜在产出

芯片制造里有两个常被混用的数字。一个是 DPW，每片晶圆按面积能切出多少颗裸片，属于理论值；另一个是良率，最终通过测试、能出货的比例。长鑫这次公布的是前者。3

通告里那句「均换算为 8Gb 颗粒基准统计」，也解释了这个比值怎么来的。同样一片晶圆，切 24Gb 颗粒的数量天然少于切 8Gb 颗粒；把两代平台都换算到 8Gb 这个统一基准，比出来的才是工艺密度本身的变化，而不是产品组合变化。3

换句话说，这条宣布给出的是每片晶圆的潜在产出。它到产能、出货量、收入之间还隔着良率、排产与客户订单三层。路透社那句「而不是通过最终测试的比例」，说的就是这条界线。1

04｜把这条消息放回长鑫自己的产品线

以下是与本次宣布有关的补充背景，来源是长鑫存储官网与第三方市场研究，不是路透社那篇稿子的内容。

长鑫存储官网的「企业动态」栏目记着这条产品线的节奏：2023 年 11 月推出 LPDDR5 系列，首个产品是 12Gb 颗粒；2025 年 10 月宣布 LPDDR5X 已量产；2025 年 11 月的 IC China 上，公司首次全面展示 DDR5 与 LPDDR5X 两条产品线，当时的官方口径是 LPDDR5X 最高速率 10667Mbps、最高颗粒容量 16Gb。5 6

到了 2026 年 9 月 7 日，官网列出的最新一条企业动态是 LPDDR6 在小米 18 Fold 上首发量产。5

长鑫存储从 LPDDR5 到第五代技术平台的产品节点 — 本刊制图，时间与产品口径取自长鑫存储官网「企业动态」栏目的发布记录，2026 年 9 月 20 日一条取自当天的量产宣布。3 5 6

这一次的两颗 24Gb LPDDR5X 是这条线上的新节点。长鑫官网的产品页现在仍写着，LPDDR5X 提供 12Gb 与 16Gb 两种单颗粒容量，最高速率 10667Mbps。7 从 16Gb 到 24Gb，单颗容量正好提高 50%，这也是这次宣布里最具体的一处增量。

终端侧已经出现过搭载长鑫 LPDDR5X 的机型。第一财经 9 月 20 日的报道写，努比亚 NaviX Ultra 搭载了长鑫最高速率 10667Mbps 的 LPDDR5X，出处是长鑫存储的微博；同一篇报道回顾了小米 18 Fold 首发 LPDDR6。8

位置上，TrendForce 在 7 月的回顾里写，长鑫是 1Q26 全球第四大 DRAM 供应商，按营收计份额 7.6%；三星、SK 海力士与美光合计 89.7%。同一篇里，TrendForce 判断长鑫向第四代工艺的逐步切换已经改善了产品质量与产出。2

05｜哪些能核到，哪些还不能

说法	现在能核到什么
第五代技术平台进入量产	由公司在 2026 世界制造业大会开幕式上宣布，中文媒体同日报道 3；截至本篇发稿，长鑫官网「企业动态」最新一条仍是 9 月 7 日的 LPDDR6 消息，没有这条量产通告 5
内存阵列有源区半间距 11.95 纳米	中文通告给出这个数字并注明是产品测量数据、存在测量偏差 3；本刊无法独立测量
每片晶圆裸片数比第四代平台至少多 50%	同一份通告，并写明按 8Gb 颗粒基准换算 3；路透社注明这是排除不良品之前的潜在数量 1
两颗 24Gb LPDDR5X 已量产	路透社与中文通告一致 1 3；两款封装为 496Ball 与 245Ball 3
单颗容量比上一代同类产品多 50%	长鑫官网产品页现在仍列出 LPDDR5X 最高颗粒容量 16Gb，24Gb 正好是它的 1.5 倍 7；24Gb 这颗尚未出现在官网产品页上
45:1 电容深宽比与 HKMG 工艺	出自中文通告，属于公司披露的工艺参数 3
工艺水平比肩行业最先进量产节点	骆晓东在会上的表态 1；三星、SK 海力士与美光没有就此公开回应
良率、出货量与客户名单	两篇来源都没有给出这三项

06｜接下来看什么

时间（北京）	看什么
最近几天	长鑫官网「企业动态」是否补上这条量产通告，产品页是否把 LPDDR5X 的容量上限从 16Gb 改成 24Gb 5 7
未来两个季度	哪款机型第一个用上 24Gb 颗粒，以及它会不会进入中国以外品牌 8
待定	良率与出货量；这次宣布只给了每片晶圆的潜在产出 1
待定	三星、SK 海力士与美光对 11.95 纳米这一代的公开回应 2