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长鑫宣布 4F² 内存突破,三星与 SK 海力士在首尔跌了 7% 和 10%
2026-10-13

长鑫宣布 4F² 内存突破,三星与 SK 海力士在首尔跌了 7% 和 10%

彭博社报道长鑫存储宣称在 4F² DRAM 架构上率先取得突破、年底推出 DDR5 RDIMM 服务器内存,三星与 SK 海力士当天在首尔收跌 7.4% 与 10.1%;本文把这项宣称的公开依据、技术门槛与市场反应分开摆清楚。

海外媒体中国AI独家追踪
海外媒体中国AI独家追踪@FC
彭博社 10 月 13 日发了一条稿,标题是《China's CXMT Claims Memory Breakthrough Ahead of Samsung, Hynix》。1
报道的核心是一句话:长鑫存储总裁曹堪宇在一场行业会议上宣布,公司在 DRAM 的下一代单元架构 4F² 上取得突破,年底前会推出用于数据中心服务器的新产品。1
彭博社在同一段里给这句话加了定性,称它是一项「未经证实的宣称」(an unsubstantiated claim)。1
震动落在首尔。10 月 13 日收盘,三星电子跌 7.4%,SK 海力士跌 10.1%,Kospi 指数收跌 5.5%。5
中文媒体 10 月 10 日就报了同一场演讲,并补上彭博社稿里没有的两处:会议是 10 月 9 日至 10 日在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会,要出的产品是 DDR5 RDIMM 形态的服务器内存,同时用到混合键合。6

01|这篇报道说了什么

说这句话的人是曹堪宇,长鑫存储总裁。6 演讲在会议的第二天。6
彭博社写明,这些言论得到了长鑫发言人的确认。1
产品的口径是:一款面向数据中心服务器的新内存,采用 4F² 设计,年底前上市。1 中文报道把形态补全为 DDR5 RDIMM,并说明它同时用到混合键合。6
曹堪宇没有提供更多细节。1 科创板日报记者在现场记下的另一条是:这场演讲没有提到那款 RDIMM 的规格信息,也没有给出具体发布时间。6
彭博社引了晨星分析师 Jing Jie Yu 的判断:4F² 若真做成、且更早落地,长鑫相对同行的竞争位置会明显改善;但内存大厂与设备商都讲过这次技术转换有多难,从产品发布到能赚钱的良率之间,仍有明显的时间差。1
股市先动了。三星与 SK 海力士在首尔跌超 7%,美光隔夜收跌 4%。1

02|6F² 到 4F²:换的是房子的盖法

先说那个平方。DRAM 的一个存储单元由一个晶体管和一个电容组成,F 是光刻能做到的最小线宽。6
今天全行业用的 6F²,意思是每个单元占 6 倍 F 的平方;长鑫讲的 4F²,把这个数字压到 4。6 按长鑫在会上给出的口径,同样面积能多放 30% 到 50% 的单元。6
代价在结构上。6F² 的晶体管是躺着的,沟道水平铺开;4F² 要把它立起来。6
长鑫给它取的名字是 VSG(Vertical Surrounded Gate,垂直包围栅)晶体管:沟道竖立,栅极从四周包住它,用来压住漏电与短沟道效应。6
配套的另一条线是混合键合。存储阵列与外围逻辑电路分开制造,再用晶圆级键合拼到一起。6
这些改动叠在一起,意味着 6F² 时代的设计与流程无法沿用,字线金属化、位线成型、结激活都要重做一遍。6
存储单元摆法对照示意图,左侧为 6F² 单元,右侧为 4F² 单元
存储单元摆法对照示意图,左侧为 6F² 单元,右侧为 4F² 单元
本刊自制。左侧是今天主流的 6F² 单元,红线框出 3F × 2F;右侧是长鑫这次宣称的 4F² 单元,晶体管由横放改成竖放、栅极四面包围。据长鑫在大会上对两种架构的介绍绘制。

03|哪些能核到,哪些还停在说法

能核到的部分在长鑫自己的公开材料里。公司称围绕 4F² 布局的公开专利族超过 300 件,2021 年发布中国大陆第一篇相关论文,2023 年与 2025 年各有一篇跟进。6
已经量产的是上一代。第五代 DRAM 平台在 9 月 20 日宣布量产,LPDDR6 首发搭载于小米 18 Fold。11 官网产品页当前列出的仍是 LPDDR6、DDR5 及模组、LPDDR5/5X、LPDDR4X 四类,DDR5 颗粒最高速率 8000Mbps。10
还停在说法的部分同样清楚。「年底推出」是这次演讲给出的唯一时间口径,规格、容量、速率一项都没有公布。6
良率与客户验证也还没有人见过。彭博社直接把它写成未经证实的宣称;Kiwoom 证券策略师 Han Ji-young 对南华早报说,这款计划中的服务器产品尚未进入量产,良率、性能与客户认证都还没有验证。15
有一件小事可以核。截至本文写作时,长鑫官网「企业动态」的最新一条仍是 9 月 20 日的第五代平台量产,没有这场演讲。11
对手的位置值得摆在一起。SK 海力士已把 4F² 垂直栅 DRAM 拿到 2026 年的 VLSI 技术研讨会上发表,采用 PUC 架构,靠晶圆键合把单元晶体管与外围器件连接起来,摘要写明已做出单元晶体管的工作与读写操作。89
SK 海力士公开的 4F² 垂直栅 DRAM 结构示意与截面图
SK 海力士研究院官网公布的 4F² 垂直栅(VG)DRAM 结构示意与截面图,采 PUC 架构与晶圆键合。图片来自 SK 海力士研究院博客。

04|首尔为什么跌成这样

跌幅不止一天。10 月 13 日首尔收盘,三星电子跌 7.4%,SK 海力士跌 10.1%;过去五个交易日,两家累计跌约 16% 与 22%。5 两者合计约占 Kospi 一半权重,指数当天收跌 5.5%,盘中一度跌逾 7%。5
外资在撤。彭博社报道,10 月外资净卖出 Kospi 股票的金额超过 60 亿美元。2 Kiwoom 证券策略师 Han Ji-young 把原因放在获利了结上:韩股此前涨得太多,外资正在减仓。5
另一层压力来自 AI 交易本身。10 月 12 日,博通 CEO 陈福阳(Hock Tan)在新加坡的一场活动上说,很多投资者根本不知道自己在投什么,期望定得极高,最后发现「几乎像在赌场里」。3
同一场讨论里,英特尔 CEO 陈立武说硬件短缺还会持续两到三年,并提到内存可能是最先失速的环节之一。3
基本面反而是好的。三星电子 10 月 7 日给出创纪录的初步营业利润 107.4 万亿韩元,营收同比翻倍以上,仍略低于分析师平均预期,当天股价在首尔收跌 2.4%。4
长鑫自己也在跌。10 月 13 日它在上海收跌 2.8% 至 46.99 元;自 9 月 23 日收盘算起,跌掉约两成。5

05|长鑫站在哪一级台阶上

份额在涨。Counterpoint 估算,长鑫第二季度在全球 DRAM 营收中的份额达到 10%,一年前是 4%。15
成本仍是短板。SemiAnalysis 估算,长鑫每生产 1 比特 DDR5 的成本,比三家最大的全球对手高出三成以上;HBM 对它的收入贡献很小。5
它这轮的增长,很大一部分来自价格。Visible Alpha 预计,长鑫今年常规 DRAM 的平均售价上涨 206%,出货量只涨 79%。5
资本市场给过很高的定价。7 月上市后,股价在 8 月中旬冲到 61.80 元,比发行价高出 614%,公司一度成为中国市值最高的公司。15
管制是另一条约束。彭博社写明,美国的制裁让长鑫拿不到 ASML 最先进的那类设备。1
这一次要进的服务器内存,是全行业最难的一格。与消费级内存比,DDR5 RDIMM 要撑住 7×24 小时不间断运行,要经受带电热插拔的电压冲击,还要与不同厂商、不同代际的 CPU 和主板做完数百项兼容性测试。7

06|原文引用

"CXMT Corp. declared it achieved a breakthrough in chip technology that rivals like Samsung Electronics Co. had pursued for years, an unsubstantiated claim that jolted stocks and reflects China's aggressive push into a critical sphere."
译:长鑫存储宣称,它在一项三星电子等对手追求多年的芯片技术上取得了突破。这是一项未经证实的宣称,它震动了股市,也折射出中国在一个关键领域里的强势推进。引自彭博社该稿。1
"Cao didn't provide more details, but the widely reported remarks helped spark a selloff in global chip stocks."
译:曹堪宇没有提供更多细节,但这些被广泛报道的言论,帮着点燃了全球芯片股的抛售。引自彭博社该稿。1
"A successful and earlier implementation of 4F² architecture in DRAM production would vastly improve CXMT's competitive position versus peers. That said, memory leaders as well as equipment manufacturers have both similarly echoed the difficulty in this technological transition, and we still expect a meaningful time gap between the unveiling of CXMT's 4F2 product and commercialization at viable yields."
译:4F² 架构若在 DRAM 生产中成功落地、且时间更早,会大幅改善长鑫相对同行的竞争位置。话虽如此,内存大厂与设备商都同样表达过这一技术转换的难度;我们仍预计,从长鑫的 4F2 产品发布,到能以可行良率商业化之间,存在明显的时间差。引自晨星分析师 Jing Jie Yu,经彭博社该稿。1
"Investors are jittery and looking for excuses to take profit on AI-related stocks that have outperformed this year, especially memory stocks."
译:投资者很紧张,正在为今年以来跑赢的 AI 相关股票找获利了结的借口,内存股尤其如此。引自 Union Bancaire Privée 的 Vey-Sern Ling,经彭博社该稿。1

07|接下来看什么

看什么为什么它能验证出处
年底那款 DDR5 RDIMM 有没有真的发布「年底」是这次演讲给出的唯一时间口径,公司官网尚未出现对应的产品或公告长鑫存储产品与服务页、企业动态
良率与客户验证目前能核到的只有专利、论文与上一代已量产的平台;服务器内存要过的是 7×24 运行与数百项兼容性测试科创板日报报道、证券日报报道
4F² 上对手会走到哪一步SK 海力士已把这套架构拿到 VLSI 2026 发表;三星与 SK 海力士谁先量产,会直接改写内存份额SK 海力士研究院博客
三星 10 月 29 日的完整财报2027 年的内存供给安排与 HBM 定价写在那里,市场把它看得比初步利润数字更重南华早报报道
DRAM 合约价涨价放缓是这轮抛售的核心担忧;TrendForce 预计本季常规 DRAM 合约价再涨 10% 到 15%南华早报报道

References

  1. 1
    China's CXMT Claims Memory Breakthrough Ahead of Samsung, Hynix

    bloomberg.com

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