三星西安要换到 286 层，海力士大连的许可只批到 240 层
路透社独家披露三星西安厂与 SK 海力士大连厂的升级目标与产量台阶，这篇把「升级可以、扩产不行」的许可灰区、两家的层数差和长江存储的反超一起摊开。
三星电子和 SK 海力士正在升级它们在中国的存储工厂，改产层数更多的 NAND 闪存。四名知情人士把计划告诉了路透社，两家公司随后确认升级正在进行，并且一直与美国政府密切协商。1
这条独家第一次写出两座厂的具体去处：三星西安改到 286 层，SK 海力士大连做到 240 层以上。
更值得琢磨的是时间差。美国商务部工业与安全局（BIS）2025 年公开说过，不打算批「升级技术」的许可；升级却正在发生。
这篇报道的价值就在这里：它把管制文本和产线上的实际动作摆在了同一张桌子上。
这篇独家讲了什么
报道由 Hyunjoo Jin、Liam Mo 与 Karen Freifeld 从首尔、北京、纽约三地发稿，2026 年 10 月 21 日刊出。正文经路透社授权转载，可以完整读到。2
按四名知情人士的说法，两家公司要让在华工厂生产 200 层以上的 NAND。这样做有两个目的：把中国厂的代际拉到与韩国本土一致，同时接住 AI 带来的存储需求。1
把散在全文里的数字收进一张表，两条产线各自的处境就看得清了。
| 厂 | 现在 | 下一步 | 时间与产量 | 信源 |
|---|---|---|---|---|
| 三星西安 | 约 200 层 | 286 层 V9 | 2026 年 12 月月产 5,000 片，2027 年 12 月 40,000 片 | 层数两名信源，产量一名信源 |
| SK 海力士大连 | 192 层 | 240 层以上 | 已获授权做到 240 层，可能再申请 300 层以上研发 | 目标三名信源，现状一名信源 |
| 长江存储 | 160、232 层为主，少量 294 层 | 300 层以上 | 未披露 | 两名不同信源 |
| 三星（中国以外） | 286 层 | 400 层以上 | 2026 年 8 月展出 BV-NAND 原型 | 路透社、三星 |
| SK 海力士（中国以外） | 321 层 | — | 2025 年 8 月宣布 321 层 QLC 量产 | 公司新闻稿 |
三星西安这座厂大约承担三星全球 NAND 产量的 40%，改造后要产 286 层的 V9 芯片。内部给这次改造起的代号是 Monami，取自法语里的「我的朋友」。
SK 海力士那边要在大连做 240 层以上的产品，目前那里生产 192 层。大连厂是 2021 年随收购英特尔 NAND 业务一起拿到的，如今是该业务唯一的 NAND 制造基地。
这门生意现在叫 Solidigm，正在筹备赴美上市；公司同时与特朗普政府谈在美国新建一座 NAND 工厂。1
两家公司都向路透社确认升级在进行，而且是与华盛顿密切协商之后做的。产量计划的细节，两家都没有披露。
三星的说法是，这次升级符合美国的出口法规，为的是满足包括美国客户在内的全球需求；公司既没有扩大产能，也没有新建厂房。1
层数为什么等于报价单
NAND 是断电之后仍然留得住数据的存储芯片。手机、个人电脑和 AI 数据中心的固态硬盘里装的都是它。1
同一块硅片，堆的层数越多，单颗芯片的容量越大，每 GB 的成本越低。这就是「几层」值得上新闻的原因：它最后落在报价单上。
能在同一片晶圆上堆更多层的厂，在存储涨价时多赚，在降价时少亏。
也正因为这样，把一条 128 层的线挪到 200 多层、再挪到 286 层，等于把老产线整个重做一遍。
5,000 片是个什么量级
路透社给出的两个台阶是：2026 年 12 月每月 5,000 片，2027 年 12 月每月 40,000 片。
西安厂此前每月大约产出 15 万片 NAND 晶圆，2026 年 4 月因设备改造同比掉了 5% 到 6%。5
放到这个基数上，今年 12 月的 5,000 片约等于全厂的 3%，2027 年 12 月的 40,000 片约等于四分之一。
这是本刊用两个来源做的除法。路透社没有说明这两个数字对应全厂还是某一条线，读者把它当量级看更稳。
这组数字也解释了三星为什么能同时说「在升级」和「没有扩产」：换的是工艺，产能本身没有加，切换期还会掉产量。
三条产线各自的层数与目标。数据出自路透社 2026 年 10 月 21 日报道与 SK 海力士公司新闻稿；三星与 SK 海力士在中国以外的数字是两家对外销售的最高规格，三星的 400 层以上仍属原型。图为本刊制作。
许可这条线是怎么走到今天的
美国从 2022 年开始对部分芯片制造设备出口设限。1 在那之前，在华外资厂靠「经验证最终用户」（VEU）资格，进口美国设备不必逐笔申请。
2025 年 8 月 29 日，BIS 公告撤销三家在华工厂的 VEU：英特尔半导体（大连）、三星中国半导体、SK 海力士半导体（中国）。撤销当年 12 月 31 日生效。6
BIS 当时估算，撤掉这三份资格，每年会多出 1000 份以上的出口许可申请。7
同一份政策里还有一句要紧的话：BIS 打算批「维持既有工厂运转」的申请，不打算批「扩大产能或升级技术」的申请。7
到了 2025 年 12 月 30 日，制度改成年度报批：企业提交一年的设备种类与数量计划，美方按年审批。三星与 SK 海力士 2026 年的设备进口计划都拿到了批准。8
本篇报道里那句「现在必须每年申请许可」，说的就是这套安排；那句「2025 年表示不打算批升级技术」，说的仍是原来那句政策表述。
两个说法今天撞在一起：政策文本说不批升级，企业说升级在做，监管方对批了多少不作答。路透社就此问过 BIS，BIS 没有直接回答，只把该社引回 2025 年那份声明。
大连这一侧为什么只剩这一条路
SK 海力士在中国的 NAND 产能主要压在大连。清州 M15 厂在存储下行期被改成做 DRAM，M15X 与龙仁一期也排给了 DRAM，能用来扩 NAND 的地方基本只剩大连二厂。9
韩国媒体还提到一层约束：中国市场监管总局当年批准这笔收购时附加了条件，要求持续供应 PCIe 与 SATA 接口的企业级固态硬盘。大连做什么产品，因此带上了一点被动。9
240 层这道线卡在许可上。SK 海力士在中国以外已经卖到 321 层，技术早就过了这一关。4
路透社还提到，这家公司可能再向华盛顿申请，在大连做 300 层以上的研发，为将来在美国量产铺路。研发放在大连、量产放在美国，这个安排本身就把「哪里能做什么」讲清楚了。
长江存储：从 28% 走到 38.5%
长江存储是这场升级的参照系。按研究机构 Omdia 的数据，它 2026 年二季度占中国 NAND 市场 38.5%，2025 年全年这个数字是 28%，已经超过三星。1
同期三星在中国市场的份额从 36% 降到 33.5%，SK 海力士从 20% 降到 17%。三家一升两降，中国这个市场里排第一的，已经换人了。
中国 NAND 市场三家份额的两个时点，数据出自 Omdia 经路透社 2026 年 10 月 21 日报道。三者相加不到 100%，其余份额属于其他厂商。图为本刊制作。
两把尺不能混用
路透社引用的是「中国 NAND 市场」份额。这把尺回答的是中国市场里谁卖得多。
TrendForce 统计的是全球 NAND 品牌营收排名，用的是另一把尺。2026 年二季度，前五大品牌营收合计 688.7 亿美元，环比涨 77%。三星以近 230.6 亿美元排第一，份额 29.3%，比一季度的 31.6% 略降。10
两家机构给三星的份额都在往下走，幅度不同，方向一致。把 29.3% 与 33.5% 混着引用，会得出一个谁都没说过的结论。
三星给路透社的原话，以及该社自己划的边界
三星的完整表述是：
The upgrade is aimed at meeting growing demand from global customers, including those in the US. The company is not expanding production capacity or constructing new manufacturing facilities.这次升级是为了满足全球客户持续增长的需求，包括美国客户。公司没有扩大产能，也没有新建制造设施。1
路透社自己也写清了一条边界：
Reuters could not, however, determine to what extent US authorities have granted export licences for equipment that Samsung and SK Hynix need for their planned upgrades.路透社无法确定，美国当局对三星与 SK 海力士这次升级所需设备，究竟批出了多少许可。1
本刊判断
三条，都能拿上面的数字复核。
第一，执行层面有一条灰区：维持既有工厂可以，换工艺可以，加产能不行。三家在华厂的 VEU 被撤、改成年度报批之后，韩国企业能走的门就只剩这一道。
第二，三星用「不扩产、不新建」的承诺，换到了把西安厂换到 286 层的空间。这套交换对后来者可以复制，因为它把「升级」从需要特批的动作，变成了写进年度计划的常规事项。
第三，这条灰区没能挡住份额变化。两家被设备许可牵制的这几年，长江存储在中国市场从 28% 走到 38.5%，靠的是 160 层、232 层这类成熟代际的规模出货，加上少量 294 层。
读这篇报道要注意的四处
产量数字是单人信源。5,000 片与 40,000 片都出自「其中一名知情人士」；公司只确认「在升级」，产量计划没有得到确认。
40% 这个占比有两个口径。路透社说西安厂约占三星全球 NAND 产量的 40%（两名信源）；TrendForce 引韩国媒体给出的 2025 年数字，是中国占三星 NAND 产量 30% 到 35%。9 时点与口径都不同，引用时说清是哪一个。
许可放行到什么程度，至今没有公开答案。BIS 没有回答路透社的问题，两家公司也没有披露各自拿到多少设备许可。
长江存储的 294 层，两家外媒的说法略有出入。路透社写的是「少量」，韩国 ETNews 经 TrendForce 转述的说法是「已进入量产」。9 量产与量产多少，是两件事。
References
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- 4SK hynix Begins Mass Production of 321-Layer QLC NAND Flash
news.skhynix.com
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